Войти в систему
Оперативная память Samsung M323R1GB4BB0-CQK ёмкостью 8 GB представляет собой модуль DDR5 без буферизации, предназначенный для настольных компьютеров.
Он обладает организацией x8/x16, поддерживает до двух рангов на DIMM-модуль и конфигурацию 2DPC. Модуль характеризуется скоростью передачи данных до 4800 Мбит/с и напряжением 1.1 В.
Гарантийный срок | 12 мес. |
---|---|
Тип памяти | DDR5 |
Форм-фактор | DIMM |
Количество контактов | 288 |
Количество модулей в комплекте | 1 |
Суммарный объем памяти всего комплекта | 8 ГБ |
Тактовая частота | 4800 МГц |
Поддержка ECC | нет |
Буферизованная (Registered) | нет |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Объем одного модуля | 8 Гб |
CAS Latency (CL) | 40 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 40 |
Row Precharge Delay (tRP) | 40 |
Напряжение питания | 1.1 В |
Радиатор | нет |
Для отправки отзыва вам необходимо авторизоваться.
Оперативная память Samsung DDR5 8 ГБ (M323R1GB4BB0-CQK)
4 289 ₽
Войти в систему
Оперативная память Samsung M323R1GB4BB0-CQK ёмкостью 8 GB представляет собой модуль DDR5 без буферизации, предназначенный для настольных компьютеров.
Он обладает организацией x8/x16, поддерживает до двух рангов на DIMM-модуль и конфигурацию 2DPC. Модуль характеризуется скоростью передачи данных до 4800 Мбит/с и напряжением 1.1 В.
Гарантийный срок | 12 мес. |
---|---|
Тип памяти | DDR5 |
Форм-фактор | DIMM |
Количество контактов | 288 |
Количество модулей в комплекте | 1 |
Суммарный объем памяти всего комплекта | 8 ГБ |
Тактовая частота | 4800 МГц |
Поддержка ECC | нет |
Буферизованная (Registered) | нет |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Объем одного модуля | 8 Гб |
CAS Latency (CL) | 40 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 40 |
Row Precharge Delay (tRP) | 40 |
Напряжение питания | 1.1 В |
Радиатор | нет |
Отзывы
Очистить фильтрыОтзывов пока нет.
Для отправки отзыва вам необходимо авторизоваться.
Отзывы
Очистить фильтрыОтзывов пока нет.